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STP3NA80中文资料

  • 大小：200.79KB
  • 厂家：STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
  • 描述：N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
  • 制造商：STMicroelectronics
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：800 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 30 V
  • 漏极连续电流：3.1 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：3.5 Ohms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-220
  • 下降时间：15 ns
  • 最小工作温度：- 65 C
  • 功率耗散：100 W
  • 上升时间：55 ns
  • 工厂包装数量：50

STP3NA80供应商

更新时间:2023-01-07 19:19:42
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